他在6月22日报道说，英特尔透露了2025年VLSI技术和电路的下一代Intel 18A过程节点的技术细节。该节点替换了现有的Intel 3节点，优化了频率和电压调节功能，并用于诸如Panther Lake消耗处理器和服务器处理器的透明水森林等产品（纯E-E-Core Xeon）。根据英特尔工程师的说法，英特尔18A过程使用了色带（完整包裹的门的GAA）和Powevia（后功率（HD）。借助Ribbonfet技术，Intel 18A与Intel 3使用FinFET相比取得了巨大的飞跃。使用FinFet进行了Intel 3。主要的Befett磁带磁带是为了更大的范围和较大的范围，可为大型的电气组合提供优化，并为大型的设备提供了较大的范围，该设备范围较大的设备，较大的设备，有限的机构，有效的机构，有限的机构，有限的机构范围，有限的机构范围较大的型号。灵活性。从180h/160h库中介绍几个磁带宽度，平衡消费/泄漏和逻辑能量性能n设计过程）并自定义Bitcell SRAM优化胶带的宽度，全面地改善了18A节点芯片的性能和设计的可能性。此外，18A使用PowerVia技术用背面的痕迹代替前侧的痕迹，从而提供了能量网络和独立优化的解耦，从而实现了多个收益。提高逻辑密度。 HP/DR 180/160 nm库高度接触Polyicon板板Polyicon板0.023/0.021μm²前金属层编号为10 ml（低成本，高密度），14-16 mL（高性能） 与英特尔3相比，由于背部的3 mL + 3 mL金属层的改进，英特尔1EL 8A可提高每单位能源消耗的15％以上。承认，低压操作低于0.65 V，使每单位的能源消耗降低了38％。密度改善：与英特尔3相比，18A达到39％（平均30％）的密度提高，而后电源THAT允许该设备的可用性增加8-10％，将单元的使用增加8-10％，从而将电压降低IR极端降低到10％的原始。参数比较：HP库高度从3至180 nm 240 nm降低，而HD库从210 nm降低到160 nm。 M0/M2金属层空间从30/42 nm到32/32 nm进行了优化。 SRAM量表：D细胞高电流18A（HCC）的密度比Intel 3高30％，SAMS HCC和HDC区域分别达到0.0230μm和0.0210μm²。英特尔说，18A过程将继续。 18A-P和18A-PT版本将于2026 - 2028年开始（在家中宣布：2025 Connect Direct Connect Conference）。